中環領先

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総合力で世界をリードする
半導体材料メーカー

リーン生産方式により世界をリードする品質の高さを実現し
産業の発展に貢献

全世界のお客様にトータルソリューションを提供

リーディングイノベーションと確かなレスポンシビリティで
サステイナブルな未来共創を目指す

総合力で世界をリードする
半導体材料メーカー

リーン生産方式により世界をリードする品質の高さを実現し
産業の発展に貢献

全世界のお客様にトータルソリューションを提供

リーディングイノベーションと確かなレスポンシビリティで
サステイナブルな未来共創を目指す

世界トップレベルの半導体用シリコンウエハーの研究開発および製造拠点の構築

中環領先半導体科技股份有限公司は、半導体材料およびその関連産業分野の研究開発と製造に特化して、全世界のお客様にトータルソリューションの提供を目指しています。製品には、4～12インチのポリッシュドウエハー、エピタキシャルウエハー、アニールウエハー、エッチドウエハー、SOIウエハーなどがございます。当社は、江蘇省宜興市、江蘇省徐州市、天津市、フフホト市の四カ所の優れた地域資源を基盤とし、各拠点間の連携を通じて、事業の全国展開を推進しています。中国だけではなく、シンガポール、日本、韓国、ヨーロッパ、そして台湾などの国や地域に営業拠点を設立し、グローバル化を促進しています。

130 万枚/月

300mmシリコンウエハーの計画生産能力

110 万枚/月

200mmシリコンウエハーの計画生産能力

110 万枚/月

≤150mmシリコンウエハーの計画生産能力

TOP1

国内の売上および出荷面積

トータルソリューション

カスタマイズ製品・シリコンウエハーのワンストップサービス

ポリッシュドウエハー

ポリッシュドウエハーは、FZ、CZ、またはMCZのシリコンインゴットをスライシング、ラッピング、ポリッシングなどのプロセスを経て製造されます。表面には歪みやキズなどがなく美しい鏡面を持ちます。平坦度と表面品質においても最高基準を満たしています。また、ドーピング剤の濃度によって、低濃度ウエハーと高濃度ウエハーに分けられます。

エピタキシャルウエハー

エピタキシャルウエハーはポリッシュドウエハーにエピタキシャルを成長させたウエハーです。ポリシング面に特定のドーピング剤、抵抗率、厚みと結晶格子構造を持つ単層または複数層のエピタキシャル膜を成長させます。

SOIウエハー

SOIウエハーは絶縁膜上にシリコン層が形成された構造のウエハーです。上部のシリコンウエハーと支持基盤の間に酸化膜を埋め込みます。SOIウエハーは高性能、低消費電力、大規模集積回路向けのチップに使われています。

アルゴンアニールウエハー

アルゴンアニールウエハーはポリッシュドウエハーをアルゴン雰囲気中でアニール処理し、ウエハー表面に無欠陥領域を形成させます。アニール処理によって、ゲッタリング能力を向上させ、表面欠陥が除去され、デバイスの性能も改善されます。

SiCエピタキシャルウエハー

SiCエピタキシャルウエハーは炭化ケイ素基盤上に単結晶膜を成長させたウエハーです。この単結晶膜は特定の条件を満たし、基盤ウエハーと同じ結晶方位です。

シリコンベースのGaNエピタキシャルウエハー

シリコン基盤のGaNエピタキシャルウエハーは広いバンドギャップ、高熱伝導率、耐熱性、耐放射線性、耐酸・耐アルカリ性、高強度および高硬度などの特徴を持っています。

その他の製品

ラップドシリコンウエハーは、ポリッシングなどの精密加工によって、ポリッシュドウエハーやエピタキシャルウエハーを製造することができます。エッチドシリコンウエハーは、混酸を使用するエッチング処理によって、表面の加工変質層が除去され、シリコンウエハー全体が高品質な単結晶性を維持します。

産業レイアウト

江蘇省宜興

IC用半導体シリコンウエハー研究開発・製造センター

宜興工場では8インチから12インチまでの各種スペックのウエハーの研究開発と量産を行っています。12インチ工場はパワーとIC製品向けの各種ウエハーの製造を軸とした製品ポジショニング戦略を定めており、毎月70万枚へキャパシティーを拡大していきます。8インチ工場はロジックとパワー製品向けの各種ウエハーを製造・提供しています。

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江蘇省徐州

IC用半導体シリコンウエハー研究開発・製造センター

徐州工場はIC用の12インチウエハーの研究開発に専念しています。主にロジックとメモリ向けのウエハーを製造していますが、品質は世界トップ企業に認められています。単結晶インゴットのNPCプロセス能力は成熟しており、毎月60万枚へキャパシティーを拡大しています。

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天津

パワープロダクツ研究開発・製造センター

中国北部最大のO-S-D半導体材料生産基地となることを目標としています。8インチおよび8インチ以下の製品の製造ラインはインテリジェント・自動化しています。FZ法とCZ法によるインゴットの育成ができることを活かし、幅広いスペックに対応可能です。

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フフホト

結晶研究開発・製造センター

スケール効果の最も顕著なCZ法による単結晶育成・研究開発・製造センタ―を構築しています。資源集約と産業チェーンとの組み合わせの優位性を活かし、半導体単結晶産業の拡張を図ります。