シリコンウエハーのワンストップサービス
ポリッシュドウエハー
ポリッシュドウエハーは、FZ、CZ、またはMCZのシリコンインゴットをスライシング、ラッピング、ポリッシングなどのプロセスを経て製造されます。表面には歪みやキズなどがなく美しい鏡面を持ちます。平坦度と表面品質においても最高基準を満たしています。また、ドーピング剤の濃度によって、低濃度ウエハーと高濃度ウエハーに分けられます。
エピタキシャルウエハー
エピタキシャルウエハーはポリッシュドウエハーにエピタキシャルを成長させたウエハーです。ポリシング面に特定のドーピング剤、抵抗率、厚みと結晶格子構造を持つ単層または複数層のエピタキシャル膜を成長させます。
SOIウエハー
SOIウエハーは絶縁膜上にシリコン層が形成された構造のウエハーです。上部のシリコンウエハーと支持基盤の間に酸化膜を埋め込みます。SOIウエハーは高性能、低消費電力、大規模集積回路向けのチップに使われています。
アルゴンアニールウエハー
アルゴンアニールウエハーはポリッシュドウエハーをアルゴン雰囲気中でアニール処理し、ウエハー表面に無欠陥領域を形成させます。アニール処理によって、ゲッタリング能力を向上させ、表面欠陥が除去され、デバイスの性能も改善されます。
SiCエピタキシャルウエハー
SiCエピタキシャルウエハーは炭化ケイ素基盤上に単結晶膜を成長させたウエハーです。この単結晶膜は特定の条件を満たし、基盤ウエハーと同じ結晶方位です。
シリコンベースのGaNエピタキシャルウエハー
シリコン基盤のGaNエピタキシャルウエハーは広いバンドギャップ、高熱伝導率、耐熱性、耐放射線性、耐酸・耐アルカリ性、高強度および高硬度などの特徴を持っています。
その他の製品
ラップドシリコンウエハーは、ポリッシングなどの精密加工によって、ポリッシュドウエハーやエピタキシャルウエハーを製造することができます。 エッチドシリコンウエハーは、混酸を使用するエッチング処理によって、表面の加工変質層が除去され、シリコンウエハー全体が高品質な単結晶性を維持します。
ウエハーの種類
ポリッシュドウエハー
エピタキシャルウエハー
SOIウエハー
アルゴンアニールウエハー
SiCエピタキシャルウエハー
シリコンベースのGaNエピタキシャルウエハー
その他の製品
製品仕様
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| 300mm | MCZ/CZ |
<100> <110> <111> |
N,P |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| 200mm | MCZ/CZ |
<100> <111> |
N,P |
| FZ |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| ≤150mm | CZ/FZ |
<100> <111> |
N,P |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| 300mm | MCZ/CZ |
<110> <100> |
N,P |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| 200mm | MCZ/CZ |
<100> <111> |
N,P |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| ≤150mm | CZ |
<100> <111> |
N,P |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| 300mm | SOI |
<100> |
N,P |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| 200mm | SOI |
<100> |
N,P |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| 300mm | MCZ |
<100> |
P |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| 200mm | MCZ/CZ |
<100> |
P |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| 200mm | / | <11-20> | N,P |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| ≤150mm | / | <11-20> | N,P |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| 200mm | EPI | <0002> | N,P |
| 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|
| ≤150mm | EPI | <0002> | N,P |
| ラップドウエハー | 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|---|
| ≤150mm | CZ/FZ |
<100> <111> |
N,P |
| エッチドウエハー | 製品サイズ | 育成方法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|---|
| ≤150mm | CZ/FZ |
<100> <111> |
N,P |
製品の特徴と用途
FZ法
特性
高電圧
大電流
応用
高圧電子・電力
マイクロ電子デバイス
周波数・電圧変換など
CZ法
高濃
度ド
特性
省エネ
高周波
応用
電源スイッチ
光電センサー
イメージセンサーなど
MCZ法
高濃度
ドープ
特性
高ストレージ密度
高性能計算
低演算消費電力
応用
メモリチップ
アナログ信号用チップ
論理演算用チップなど
MCZ法
低濃度ドープ
特性
高温耐性
耐放射線
高周波
高変換効率
応用
高効率の急速充電
新エネルギー車における主駆動用インバーターなど
